二氧化硅膜厚儀的測量原理是?

二氧化硅膜厚儀的測量原理主要基于光的干涉現象。當單色光垂直照射到二氧化硅膜層表面時，光會在膜層表面和膜層與基底的界面處發生反射。這兩束反射光在返回的過程中會發生干涉，即相互疊加，產生干涉條紋。干涉條紋的形成取決于兩束反射光的光程差。當光程差是半波長的偶數倍時，兩束光相位相同，干涉加強，形成亮條紋；而當光程差是半波長的奇數倍時，兩束光相位相反，干涉相消，形成暗條紋。通過觀察和計數干涉條紋的數量，結合已知的入射光波長和二氧化硅的折射率，就可以利用特定的計算公式來確定二氧化硅膜層的厚度。具體來說，膜厚儀會根據干涉條紋的數目、入射光的波長和二氧化硅的折射系數等參數，利用數學公式來計算出膜層的厚度。此外，現代二氧化硅膜厚儀可能還采用了其他高級技術來提高測量精度和可靠性，如白光干涉原理等。這種原理通過測量不同波長光在膜層中的干涉情況，可以進一步精確確定膜層的厚度。總的來說，二氧化硅膜厚儀通過利用光的干涉現象和相關的物理參數，能夠實現對二氧化硅膜層厚度的精確測量。這種測量方法在半導體工業、光學涂層、薄膜技術等領域具有廣泛的應用。