半導體制造中，乙烯基溴化鎂（Mg(CH2=CH)Br）作為有機金屬前驅體，主要用于先進薄膜沉積工藝，尤其在化學氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）中發揮關鍵作用，其應用價值體現在以下三方面：

1. 高k介質與鈍化層制備

在第三代半導體（如GaN、SiC）器件制造中，乙烯基溴化鎂通過熱分解可生成高純度氧化鎂（MgO）或氮化鎂（Mg3N2）。這類材料具有優異的介電性能（k值約9.8），用于制備柵極介質層或表面鈍化層，能有效降低漏電流，提升器件耐壓特性。例如在GaN HEMT器件中，1-2nm的MgO層可將界面態密度降低至1×10^11 cm^-2·eV^-1量級。

2. p型摻雜源

在寬禁帶半導體摻雜工藝中，鎂元素是重要的p型摻雜劑。乙烯基溴化鎂在MOCVD過程中可精準控制鎂摻雜濃度（10^17-10^19 cm^-3范圍），其分解溫度（180-220℃）低于傳統二茂鎂（Cp2Mg），更適合低溫外延生長。該特性在藍光LED的p-GaN層制備中尤為關鍵，可將空穴激活率提升至80%以上。

3. 納米結構模板劑

在量子點/納米線生長中，乙烯基溴化鎂的乙烯基配體具有定向自組裝特性。通過表面修飾可誘導III-V族材料（如InP）沿特定晶向生長，控制納米結構形貌。實驗數據顯示，使用該前驅體可使納米線直徑偏差控制在±1.5nm內，顯著提升器件光電轉換效率。

該化合物具有低熱解溫度（Tdec≈200℃）、高蒸氣壓（1Torr@80℃）及低金屬殘留（<0.1at%）等優勢，特別適用于7nm以下先進制程。但需在嚴格惰性氣氛（O2<1ppm）下操作，其溴化副產物需配套尾氣處理系統。隨著柔性電子和Micro-LED技術的發展，乙烯基溴化鎂在前沿半導體領域的應用將持續擴展。