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主營：單片機,MOS,大電流mos
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公司成立于2013年7月，專注從事單片機的應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費類電子產品上應用廣泛，大電流mos萬芯半導體，為您量身定制適合的芯片方案。
半導體工藝制程不斷縮小，MOS器件尺寸隨之不斷減小，當達到納米級別后，受功耗密度、散熱效率等因素影響，傳統MOS器件出現一系列性能問題，性能與可靠性會退化，無法滿足集成電路要求。圍柵硅納米線MOS器件具有優良的柵控能力，在保持性能與可靠性方面更具優勢，且具有良好的CMOS工藝兼容能力，大電流mos價格，因此成為MOS器件的重要發展方向。
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說白了的過流保護，便是在輸出短路故障或過載時對電源或負荷開展維護，現階段對電源過流保護有多種方式，如恒流形、恒輸出功率型等，可是這種過流保護電路的制定都離不了MOS管，一款高的品質的MOS管能夠提高電源過流保護的作用。
MOS管FET柵源保護：
1）避免 柵極 di/dt 過高
因為選用驅動集成ic，其輸出阻抗較低，蘇州大電流mos，直推功率管會造成推動的功率管迅速的開啟和斷連，有可能導致功率管漏源極間的工作電壓波動，或是有可能導致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預防以上問題的產生，一般在 MOS 控制器的導出與 MOS 管的柵極中間串連一個電阻器，電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。
2）避免 柵源極間過壓
因為柵極與源極的特性阻抗很高，漏極與源極間的工作電壓基因突變會根據極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓，此工作電壓會使非常薄的柵源空氣氧化層穿透，與此同時柵極非常容易累積正電荷也會使柵源空氣氧化層穿透，因此，要在 MOS 管柵極串聯穩壓極管以限定柵極工作電壓在穩壓極管值下，保護 MOS 管不被穿透。
3）安全防護漏源極中間過壓
盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大，但假如漏源極不用保護電路，一樣有可能由于器件電源開關一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓，從而毀壞 MOS 管，功率管電源開關速率越快，造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞，一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護對策。
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第4年
