微弧氧化工藝的整流電源特點:
操作方式:本控遠控操作模式可選擇;
輸出控制方式:直流、單極脈沖或雙極脈沖輸出控制模式可選擇
恒流恒壓、恒功率三種控制模式可選擇
軟啟動時間:軟啟動工作時間可在0-2005范圍內整定
整流方式:IGBT逆變軟開關整流,PWM脈沖步調制IGBT斬波
脈沖步調頻率范圍:1000-8000Hz;
人機操作界面:PLC彩色觸摸屏
主控制器:微弧氧化電源DSP微機數字觸發控制,PWM脈寬調節控制,脈沖移相分辨率≤1μ。
微弧氧化時間對表莫粗糙度的影響
微弧氧化陶瓷膜的表面粗糙度隨著氧化時間的延長近似呈線性增長。這是由于氧化膜的表面粗糙度與膜層的厚度有直接關系,而膜層的增厚過程是在極高的能量條件下陶瓷膜的重復擊穿過程。在氧化初期,作用在膜層上的能量較低,產生的熔融物顆粒較少,膜層的表面粗糙度較低;隨著時間的延長,膜層表面的能量密度逐漸增大,微弧氧化加工,熔融的氧化產物增多,并通過微孔噴射到表面。在電解液液淬作用下,氧化物冷卻凝固,微弧氧化裝置加工廠家,并發生多次擊穿。在這種熔融、凝固、再熔融、再凝固的過程中,微弧氧化設備加工廠家,產生的氧化物顆粒黏附在陶瓷層表面的數量增多,從而增大了膜層表面的粗糙度。另外,在成膜過程中同時存在氧化膜的溶解過程,因此,若時間足夠長,膜層在溶解過程中其表面粗糙度也會出現小幅度的下降。
微弧氧化技術工藝優點
微弧氧化處理既與電鍍鋅等消耗性陰極處理不同,可用非消耗性的不銹鋼作陰極,避免了重金屬離子從陰極溶入并隨廢水流出污染環境;又與電鍍硬鉻和重(或硬)陽極氧化等依靠消耗溶液中溶質元素在被處理樣品表面形成保護膜層的工藝不同,微弧氧化處理主要在鋁、鎂等輕合金表面生成金屬自身氧化物的陶瓷層,理論上屬不消耗溶質元素的處理工藝。因此該工藝可以被視為既不消耗陰極又基本不消耗電解液溶質元素的清潔處理。
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