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沈陽東創貴金屬材料有限公司
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而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。銅與鋁相比較，銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率，能夠滿足！導體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機介質材料的附著強度低．并且容易發生反應，導致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。
為了解決以上這些問題，純銀零部件工藝，需要在銅與介質層之間設置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50nm，與銅及介質材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是難熔金屬．制作相對困難，如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。
在儲存技術方面，高密度、大容量硬盤的發展，吉林純銀零部件，需要大量的巨磁阻薄膜材料，純銀零部件加工，CoF~Cu多層復合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結構。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進一步發展，用它制造的磁光盤具有存儲容量大，壽命長，可反復無接觸擦寫的特點。如今開發出來的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復合膜結構，TbFeCo/AI結構的Kerr旋轉角達到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。經過研究發現，低磁導率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強度。
所述泡沫彈性層包含:至少三種具有不同體積電阻率的導電性橡膠，這三種導電性橡膠的體積電阻率小于約I X ο14 Ω Cm ;至少一種體積電阻率為約IXlO14Qcm或更大的絕緣橡膠；以及至少兩種導電性填料。
所述絕緣橡膠為選自由三元乙丙橡膠、硅橡膠和丁基橡膠構成的組中的至少一種橡膠。根據本發明的第三方面，純銀零部件報價，所述導電性橡膠和所述絕緣橡膠為氯醚橡膠、丁苯橡膠和三元乙丙橡膠，或者為氯丁橡膠、氯醚橡膠、丁苯橡膠和三元乙丙橡膠。根據本發明的第四方面，所述絕緣橡膠的含量為橡膠成分總量的約30質量％至約40質量％。
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第9年
