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北京晶宇興科技有限公司
主營：晶體振蕩器,晶體諧振器,壓控振蕩器
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壓控振蕩封裝方式
VCO采用多種封裝形式，通常采用表面貼裝封裝或同軸連接封裝。通常采用堅固及氣密性封裝，電壓調振蕩器現貨，或者專門針對惡劣環境和滿足高可靠性標準（工業、商業或用途）進行封裝。從常見物料到難尋器件，一應俱全。工作頻率范圍從DC至220 GHz.
元器件產品被廣泛用于航空航天、電信、商業以及工業領域中的測試、開發和系統部署等應用。因此，電鍍和封裝材料/技術通常滿足標準規定，能夠達到相關的運行溫度范圍、濕度、沖擊和振動要求。
壓控振蕩器的工作原理
晶體壓控振蕩器在用石英晶體穩頻的振蕩器中，把變容二極管和石英晶體相串接，七專級電壓調振蕩器現貨，就可形成晶體壓控振蕩器。為了擴大調頻范圍，石英晶體可用AT切割和取用其基頻率的石英晶體，在電路上還可采用展寬調頻范圍的變換網絡。
在微波頻段，用反射極電壓控制頻率的反射速調管振蕩器和用陽極電壓控制頻率的磁控管振蕩器等也都屬于壓控振蕩器的性質。壓控振蕩器的應用范圍很廣。集成化是重要的發展方向。石英晶體壓控振蕩器中頻率穩定度和調頻范圍之間的矛盾也有待于解決。隨著深空通信的發展，將需要內部噪聲電平極低的壓控振蕩器。
鎖相環電路中壓控振蕩器的SET響應研究
空間輻射環境中的鎖相環在SET作用下，將產生頻率或相位偏差，七專級電壓調振蕩器現貨，甚至導致振蕩中止，造成通信或功能中斷。壓控振蕩器是鎖相環中的關鍵電路，也是對SET敏感的部件之一。本文基于工藝校準的器件模型，采用TCAD混合模擬的方法，針對180nm體硅CMOS工藝下高頻鎖相環中的壓控振蕩器，七專級電壓調振蕩器現貨，研究了偏置條件、入射粒子的能量以及溫度對壓控振蕩器SET響應的影響，通過分析失效機理，以指導抗輻照壓控振蕩器的設計。研究結果表明，當器件工作在截止區時，入射粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差小;壓控振蕩器的輸出時鐘錯誤脈沖數隨著入射粒子LET的增加而線性增加;隨著器件工作溫度的升高，轟擊粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差也是增大的。
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