金屬靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料。有金屬類、合金類、氧化物類等等。
簡單說的話,例如:蒸發磁控濺射鍍膜是加熱蒸發鍍膜......鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等),即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。
應用于顯示屏的阻擋層或調色層,筆記本電腦的裝飾層、電池的封裝等.
區域提純后的金屬鍺,其錠底表面上的電阻率為30~50歐姆 厘米時,純度相當于8~9,可以滿足電子器件的要求。但對于雜質濃度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探測器級超純鍺,則尚須經過特殊處理。
由于鍺中有少數雜質如磷、鋁、硅、硼的分配系數接近于1或大于1,要加強化學提純方法除去這些雜質,然后再進行區熔提純。電子級純的區熔鍺錠用霍爾效應測量雜質(載流子)濃度,貴金屬靶材廠家,一般可達10~10原子/厘米。經切頭去尾,再利用多次拉晶和切割尾,貴金屬靶材技術,一直達到所要求的純度(10原子/厘米),這樣純度的鍺(相當于13)所作的探測器,貴金屬靶材價格,其分辨率已接近于理論數值。
超純金屬的檢測方法極為困難。痕量元素的化學分析系指一克樣品中含有微克級(10克/克)、毫微克級(10克/克)、微微克級(10克/克)雜質的確定。常用的手段有中子和帶電粒子活化分析,貴金屬靶材,原子吸收光譜分析,熒光分光光度分析,質譜分析,化學光譜分析及氣體分析等。在單晶體高純材料中,晶體缺陷對材料性能起顯著影響,稱為物理雜質,主要依靠在晶體生長過程中控制單晶平穩均勻的生長來減少晶體缺陷。
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