熱壓法:ITO靶材的熱壓制作過程是在石墨或氧化鋁制的模具內充填入適當粉末以后,以 100kgf/cm 2~1000kgf/cm 2的壓力單軸向加壓,盤錦銀粒,同時以1000℃~1600℃進行燒結。熱壓工藝制作過程所需的成型壓力較小,燒結溫度較低,燒結時間較短。但熱壓法生產的ITO靶材由于缺氧率高,氧含量分布不均勻,從而影響了生產ITO薄膜的均勻性,且不能生產大尺寸的靶。
各種純度鋁中的雜質含量及剩余電阻率如表2所示。超純金屬超純的純度也可以用剩余電阻率來測定,其值約為2×10-5。現代科學技術的發展趨勢是對金屬純度要求越來越高。因為金屬未能達到一定純度的情況下,銀粒技術,金屬特性往往為雜質所掩蓋。不僅是半導體材料,其他金屬也有同樣的情況,由于雜質存在影響金屬的性能。
鎢過去用作燈泡的燈絲,銀粒哪家好,由于脆性而使處理上有困難,在適當提純之后,這種缺點即可以克服(鎢絲也有摻雜及加工問題)。
濺射技術:濺射是制備薄膜材料的主要技術之一,銀粒回收,它利用離子源產生的離子,在真空中經過加速聚集,而形成高速度能的離子束流,轟擊固體表面,離子和固體表面原子發生動能交換,使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面,被轟擊的固體是制備濺射法沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。各種類型的濺射薄膜材料無論在半導體集成電路、太陽能光伏、記錄介質、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。
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