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沈陽東創貴金屬材料有限公司
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各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術的同步發展，極大地滿足了各種新型電子元器件發展的需求。例如，在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線。
在被濺射的靶極（陰極）與陽極之間加一個正交磁場和電場，金粒工藝，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。
在儲存技術方面，高密度、大容量硬盤的發展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，金粒技術，CoF~Cu多層復合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結構。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進一步發展，用它制造的磁光盤具有存儲容量大，金粒價格，壽命長，可反復無接觸擦寫的特點。如今開發出來的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復合膜結構，TbFeCo/AI結構的Kerr旋轉角達到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。經過研究發現，低磁導率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強度。
在使用電子照相方法的打印技術中，丹東金粒，已經漸進實現高速打印操作、高質量圖像形成、彩色像形成、以及成像裝置小型化，并且變得很普遍。色粉一直是這些改進的關鍵。為滿足上述需要，必須形成精細分配的色粉顆粒，使得色粉顆粒的直徑均一，并且使得色粉顆粒呈球形。至于形成精細分配的色粉顆粒的技術，近已經開發出直徑不超過10nm的色粉和不超過5pm的色粉。至于使色粉呈球形的技術，已經開發出球形度99%以上的色粉。
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第9年
