





在半導體制造中,高純氧是生產芯片的關鍵氣體之一,用于氧化硅片、清洗設備和作為載氣。
高純氧的高純度和穩(wěn)定性確保了芯片制造過程中的高精度和低污染。例如,在氧化工藝中,高純氧與硅反應生成二氧化硅層,作為芯片的絕緣層;
在清洗過程中,高純氧用于去除表面雜質,提高芯片性能。由于半導體對氣體純度要求很高,高純氧需經過多次凈化,去除微量雜質,以滿足生產工藝需求。隨著半導體行業(yè)的快速發(fā)展,高純氧批發(fā)價格,高純氧的需求將持續(xù)增長。
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高純氧的制備方法有哪些?
高純氧制備方法主要有:
1. 深冷空分法,杞縣高純氧,通過空氣液化精餾分離氧、氮,可制得99.99%以上純度;
2. 變壓吸附法,高純氧公司,利用分子篩吸附氮氣,從空氣中富集氧氣,純度可達99.9%;
3. 膜分離法,借助中空纖維膜對氧、氮的滲透差異分離,純度約90%-99%;
4. 化學法,如電解水,純度高但成本高,適用于小規(guī)模制備。
電子等領域多采用深冷法或變壓吸附結合純化技術,提升高純氧至5N級以上。
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高純氧的特性
高純氧純度很高,通常達 99.995% 及以上。常溫常壓下,它呈無色、無味的氣態(tài),化學性質活潑,具有強氧化性,能支持燃燒,是維持生命所必需的物質。與普通氧氣相比,高純氧氣雜質很少,在標準狀況下密度約為 1.429g/L,略大于空氣。高純氧沸點為 - 183℃,經降溫加壓可液化成淡藍色液體。憑借這些特性,高純氧在醫(yī)學、工業(yè)、科研等諸多領域有著不能替代的作用,為相關行業(yè)的穩(wěn)定運行與發(fā)展提供基礎保障。
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