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沈陽東創貴金屬材料有限公司
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而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。銅與鋁相比較，銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率，純鈀靶材工藝，能夠滿足！導體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機介質材料的附著強度低．并且容易發生反應，導致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。
為了解決以上這些問題，需要在銅與介質層之間設置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50nm，與銅及介質材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是難熔金屬．制作相對困難，如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。
但是靶材制作困難，海南純鈀靶材，這是因為氧化銦不容易燒結在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結添加劑，能夠獲得密度為理論值的93%~98%的靶材，這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關系極大。日本的科學家采用Bizo作為添加劑，純鈀靶材廠家，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的燒結溫度超出部分已經揮發，這樣能夠在液相燒結條件下得到比較純的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是納米顆粒，這樣可以簡化前期的工序。
超純金屬，指的化學雜質和物理雜質 (晶體缺陷) 含量的金屬。目前主要以化學雜質的含量為標準，常以雜質在金屬中總含 量的百萬分之幾表示 。超純金屬是相對高純度的金屬，一般指金屬純度達到純度9以上的金屬，物理雜質的概念才是有意義的。
材料的純度對其性能，特別是微電子學、光電子學性能影響很大，現代高技術產業要求制備出超純金屬以利于制作器件。
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第9年
