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沈陽東創貴金屬材料有限公司
主營：貴金屬材料
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用于復印機和打印機等的帶電輥、顯影輥、色粉供給輥、轉印輥等都必須具備適當的穩定的電阻值。
以往，貴金屬靶材加工，使上述輥筒具有導電性的方法包括采用在橡膠中混入了金屬氧化物粉末和碳黑等導電性填充劑的電子導電性橡膠的方法；采用聚氨酯橡膠、表氯橡膠等離子導電性橡膠(聚合物)或含有季銨鹽等離子導電材料的離子導電性聚合物的組合物的方法。
而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。銅與鋁相比較，銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率，上海貴金屬靶材，能夠滿足！導體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機介質材料的附著強度低．并且容易發生反應，導致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。
為了解決以上這些問題，需要在銅與介質層之間設置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物，貴金屬靶材工藝，因此要求阻擋層厚度小于50nm，與銅及介質材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是難熔金屬．制作相對困難，如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。
在儲存技術方面，高密度、大容量硬盤的發展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多層復合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結構。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進一步發展，用它制造的磁光盤具有存儲容量大，壽命長，可反復無接觸擦寫的特點。如今開發出來的磁光盤，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復合膜結構，貴金屬靶材報價，TbFeCo/AI結構的Kerr旋轉角達到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。經過研究發現，低磁導率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強度。
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第9年
