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安徽譜純氣體科技有限公司
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四氟化碳物理性質(zhì) :
熔點(diǎn)-183.6℃，
分子式是CF4，
沸點(diǎn)-128.1℃，
液體密度(-130℃)1.613g/cm3，高純四氟化碳，
液體折光率(-173℃)1.515，
固體轉(zhuǎn)變點(diǎn)72.2K，
臨界溫度-45.67℃，四氟化碳，
臨界壓力3.73MPa，
蒸氣壓（-150.7℃）13.33kPa
介電常數(shù)（25℃，0.5MPa）1.0006
臨界密度：7.1dm3/mol
標(biāo)準(zhǔn)摩爾自由能：-929.84 kJ/mol
標(biāo)準(zhǔn)摩爾生成自由能：-887.41 kJ/mol
危險(xiǎn)性類別：第2.2類不燃?xì)怏w
隨著芯片制程向7納米邁進(jìn)，細(xì)微雜質(zhì)對芯片的損害更為明顯，電子產(chǎn)業(yè)對高純電子氣體的純度要求進(jìn)一步提高，四氟化碳公司，在此背景下，我國高純四氟化碳生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品質(zhì)量仍有提升空間。四氟化碳貯存注意事項(xiàng)：氣瓶使用和檢驗(yàn)遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶內(nèi)的氣體不能全部用盡，應(yīng)該留不小于0.04MPa剩余壓力。我國人工智能、物聯(lián)網(wǎng)市場仍在不斷擴(kuò)大，光伏發(fā)電累計(jì)裝機(jī)容量不斷上升，預(yù)計(jì)2020-2025年，我國高純四氟化碳市場需求將繼續(xù)以10.0%以上的增速增長。
四氟化碳的密度比較高，可以填滿地面空間范圍，在不通風(fēng)的地方會導(dǎo)致窒息。四氟化碳成品應(yīng)存放在陰涼，干燥，通風(fēng)的庫房內(nèi)，嚴(yán)禁曝曬，遠(yuǎn)離熱源。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。
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第8年
