但是靶材制作困難,這是因?yàn)檠趸煵蝗菀谉Y(jié)在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結(jié)添加劑,能夠獲得密度為理論值的93%~98%的靶材,這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關(guān)系極大。日本的科學(xué)家采用Bizo作為添加劑,Bi2O3在820Cr熔化,在l500℃的燒結(jié)溫度超出部分已經(jīng)揮發(fā),這樣能夠在液相燒結(jié)條件下得到比較純的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是納米顆粒,這樣可以簡(jiǎn)化前期的工序。
而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝,所需要的靶材純度將要求達(dá)到5甚至6N以上。銅與鋁相比較,純銀靶材誰家好,銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率,純銀靶材廠家,能夠滿足!導(dǎo)體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題:銅與有機(jī)介質(zhì)材料的附著強(qiáng)度低.并且容易發(fā)生反應(yīng),導(dǎo)致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。
為了解決以上這些問題,需要在銅與介質(zhì)層之間設(shè)置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點(diǎn)、高電阻率的金屬及其化合物,純銀靶材報(bào)價(jià),因此要求阻擋層厚度小于50nm,與銅及介質(zhì)材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的.需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等.但是Ta、W都是難熔金屬.制作相對(duì)困難,如今正在研究鉬、鉻等的臺(tái)金作為替代材料。
精鋁經(jīng)過區(qū)熔提純,只能達(dá)到5 的高純鋁,但如使用在有機(jī)物電解液中進(jìn)行電解,可將鋁提純到99.9995%,并可除去有不利分配系數(shù)的雜質(zhì),然后進(jìn)行區(qū)熔提純數(shù)次,就能達(dá)到接近于 7 的純度,雜質(zhì)總含量
制備化合物半導(dǎo)體的金屬如銦、磷,可利用氯化物精餾氫還原、電解精煉、區(qū)熔及拉晶提純等方法制備超純金屬,總金屬雜質(zhì)含量為 0.1~1ppm。其他金屬如銀、金、鎘、、鉑等也能達(dá)到≥6 的水平。
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